Pinagem-Pinout-transistor-NPN-C1815O-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Bipolar C1815O Tipo: NPN Tensão Coletor-Emissor: 50 V Tensão Coletor-Base: 60 V Tensão Emissor-Base: 5 V Corrente-Coletor: 150 mA Dissipação de Coletor: 400 mW Ganho de Corrente CC (hfe): 70 a 140 Frequência de transição: 80 MHz Range de temperatura da junção de operação: -55 a +125 °C Encapsulamento: TO-92 ↪ Clique para Exibir o…

Pinagem-Pinout-transistor-PNP-2SB560F-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Bipolar PNP 2SB560F Tipo: PNP Tensão Coletor-Emissor: –80 V Tensão Coletor-Base: –100 V Tensão Emissor-Base: –5 V Corrente-Coletor: –700 mA Dissipação de Coletor: 900 mW Ganho de Corrente CC (hfe): 160 a 320 Frequência de transição: 100 MHz Range de temperatura da junção de…

Pinagem-Pinout-Tiristor-CSR-2N6508-Características-Especificações Características Básicas do Tiristor CSR 2N6508 Tipo — UNI-Direcional Tensão VDRM, VRRM: 2N6504: 50 V 2N6505: 100 V 2N6507: 400 V 2N6508: 600 V 2N6509: 800 V Corrente — IT(RMS): 25 A Tensão de Acionamento de Gate: ± 1V a 1,5V Corrente de Acionamento de Gate: ± 9mA a 75mA Temperatura de operação: -40 a 150 °C Encapsulamento: TO-220AB ↪ Clique para Exibir o Datasheet…

Pinagem-Pinout-transistor-NPN-MJE3055T-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Bipolar MJE3055T Tipo: NPN Tensão Coletor-Emissor: 60 V Tensão Coletor-Base: 70 V Tensão Emissor-Base: 5 V Corrente-Coletor: 10 A Dissipação de Coletor:75 W Ganho de Corrente CC (hfe): 20 a 100 Frequência de Transição: 100 MHz Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C Encapsulamento: TO-220 ↪ Clique para Exibir…

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-MTP4N50-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Mosfet MTP4N50 Tipo: Canal-N Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω Corrente contínua Dreno: 4 A Carga Total da Gate: 30 nC Dissipação de energia: 75 W Range de temperatura da junção de…

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-11N50L-TF1-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Mosfet 11N50L Tipo: Canal-N Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω Corrente contínua Dreno: 11 A Carga Total da Gate: 55 nC Dissipação de energia: 48 W Range de temperatura da junção…