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EspañolDatasheet Pinagem – Transistor Mosfet Canal-N MTP4N50 – Características e Substituições
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Características Básicas do Transistor Mosfet MTP4N50
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω
- Corrente contínua Dreno: 4 A
- Carga Total da Gate: 30 nC
- Dissipação de energia: 75 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
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Substitutos e Equivalentes para o Transistor MTP4N50
O transistor Mosfet MTP4N50 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 11N50L, 12N65, 12N70, 13N50, 2SK1099, 2SK1117, 2SK1563, 2SK1709, 2SK2328, 2SK2542, 2SK2544, 2SK2661, 2SK2866, 2SK3517‑01, 2SK3682‑01, 5N50, 6N50, 7N50, 8N50, 9N60, 10N60, 12N60, IRF830, IRF840A, MTP6N60, MTP8N50E.
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