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EspañolDatasheet Pinagem – Transistor Mosfet Canal-N IRFB13N50APbF – Características e Substituição
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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB13N50APbF
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,45 Ω
- Corrente Contínua Dreno: 14 A
- Carga Total da Gate: 81 nC
- Dissipação de energia: 250 W
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB13N50APbF
O transistor IRFB13N50APbF pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF13N50, IRFB13N50A, 2SK3682‑01, 18N50, IRFB16N50K, IRFB17N50L, IRFB18N50K, IRFB20N50K.
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