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EspañolDatasheet Pinagem – Transistor Mosfet Canal-N 11N50L – TF1 – Características e Substituições
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Características Básicas do Transistor Mosfet 11N50L
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω
- Corrente contínua Dreno: 11 A
- Carga Total da Gate: 55 nC
- Dissipação de energia: 48 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220F1
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
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Substitutos e Equivalentes para o Transistor 11N50L
O transistor Mosfet 11N50L pode ser substituído pelos seguintes transistores:
12N50, 13N50, 16N50, 18N50, UF450.
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