JMDS25

Pinagem-Pinout-transistor-NPN-MJE3055T-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Bipolar MJE3055T Tipo: NPN Tensão Coletor-Emissor: 60 V Tensão Coletor-Base: 70 V Tensão Emissor-Base: 5 V Corrente-Coletor: 10 A Dissipação de Coletor:75 W Ganho de Corrente CC (hfe): 20 a 100 Frequência de Transição: 100 MHz Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C Encapsulamento: TO-220 ↪ Clique para Exibir…

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-MTP4N50-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Mosfet MTP4N50 Tipo: Canal-N Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 1,5 Ω Corrente contínua Dreno: 4 A Carga Total da Gate: 30 nC Dissipação de energia: 75 W Range de temperatura da junção de…

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-11N50L-TF1-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Mosfet 11N50L Tipo: Canal-N Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ω Corrente contínua Dreno: 11 A Carga Total da Gate: 55 nC Dissipação de energia: 48 W Range de temperatura da junção…

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB13N50APbF-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB13N50APbF Tipo: Canal-N Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 0,45 Ω Corrente Contínua Dreno: 14 A Carga Total da Gate: 81 nC Dissipação de energia: 250 W Range de Temperatura da…

Pinagem-Pinout-transistor-PNP-2SA1986-Características-Substituição Características Básicas do Transistor Bipolar 2SA1986 Tipo; PNP Tensão coletor-emissor: –230 V Tensão base-coletor: –230 V Tensão base-emissor: –5 V Corrente do coletor: –15 A Dissipação do coletor; 150 W Ganho de corrente CC (hfe): 55 a 160 Frequência de transição: 30 MHz Faixa de temperatura…