Datasheet – Pinagem – Transistor Bipolar PNP 2SB560F – Características e Substituição

Pinagem-Pinout-transistor-PNP-2SB560F-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Bipolar PNP 2SB560F

Tipo: PNP
Tensão Coletor-Emissor: –80 V
Tensão Coletor-Base: –100 V
Tensão Emissor-Base: –5 V
Corrente-Coletor: –700 mA
Dissipação de Coletor: 900 mW
Ganho de Corrente CC (h_fe): 160 a 320
Frequência de transição: 100 MHz
Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
Encapsulamento: TO-92MOD

Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Classificação hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme
a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu
encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do
transistor 2SB560 estará entre:

2SB560-D: 60 ~ 120

2SB560-E: 100 ~ 200

2SB560-F: 160 ~ 320

2SB560-G: 280 ~ 560

2SB560: 60 ~ 560

Par Complementar do Transistor:

O transistor PNP 2SB560F é complementar do transistor NPN 2SD438F

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SB560F

O transistor 2SB560F pode
ser substituído pelos seguintes transistores:

2SB560, BC880, 2N6730, 2N6732, 2SA1709, 2SA1768, 2SA1770, 2SB1212, 2SB1387, 2SB647, BC880, ECG383.

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